Caracterização dos Estados Eletrônicos de Pontos Quânticos Auto-Organizados de InAsP Crescidos

Caracterização dos Estados Eletrônicos de Pontos Quânticos Auto-Organizados de InAsP Crescidos

Caracterização dos Estados Eletrônicos de Pontos Quânticos Auto-Organizados de InAsP Crescidos sobre GaAs

Moos, R., Konieczniak, I., Santos, G. E., Gobbi, A. L., Bernussi, A. A.; Carvalho Jr., W.; Medeiros Ribeiro, G.; Ribeiro, E.
Universidade Federal do Paraná, Brazilian Nanotechnology National Laboratory, Texas Tech University, BR Photonics, Universidade Federal de Minas Gerais

Pontos quânticos auto-organizados (QDs) podem ser a contribuição mais promissora da física do estado sólido para a computação quântica. Assim, é desejável que algumas propriedades QD, tais como a como energia de emissão, alinhamento de banda e fator-g, sejam manipuláveis. Neste trabalho estudamos os estados eletrônicos dos pontos quânticos auto-organizados de InAsP/GaAs usando experimentos de fotoluminescência (PL), fototransmissão modulada (PT), a anisotropia de forma com a fotoluminescência linearmente polarizada (PLP) e o alinhamento de bandas com a magnetofotoluminescência (MPL). A partir de medidas em função da temperatura e potência de excitação, pode-se identificar as contribuições da wetting layer (WL) nos espectros de PL.

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